BUK9608-55-T

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

BUK9608-55-T datasheet

• Маркировка
  BUK9608-55-T
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BUK9608-55-T Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 2 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 75 A DS Breakdown Voltage-Min: 55 V Avalanche Energy Rating (Eas): 500 mJ Drain-source On Resistance-Max: 0.0080 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 240 A
• Количество страниц
  8 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet BUK9608-55-T.pdf
Файл формата Pdf 57,16 KB